A systematic study was made of the semiconducting chalchogenide glass system Ge20SbxSe80−x with 5 < x < 40 at.%. The dependence of the electrical conductivity of bulk specimens on the temperature revealed the role of both the Sb content and the annealing temperature. X-Ray examination as well as differential scanning calorimeter analyses (DSC) were helpful in the identification of the structural changes. The characteristics of the lone pair amorphous semiconductor seem to account for the observed dependence of the localized density of states, N(E), at the Fermi energy, on the annealing temperature

The electrical properties of bulk InxSe1-x prepared by quenching from the melt is investigated. It is found that this system exhibits non-linear I-U characteristics and switching phenomena. Resistivity and regime of switching for both, amorphous and polycrystalline phases depend on the Se content. The threshold voltage decreases with increasing the ambient temperature, and shows a complex behaviour with Se concentration. X-ray examination for annealed samples shows phase separation of crystalline Se, InSe, or In2Se2 depending on the original composition. The switching phenomena are discussed on the basis of thermally induced transformations. It is suggested that the existence of a low-resistivity state may be attributed to the formation of filaments of crystalline phases acting as conduction paths between the two electrodes.

Translated Abstract:
Die elektrischen Eigenschaften von Volumen-InxSe1-x, das aus abgeschrecktem flüssigen Metall hergestellt wird, werden untersucht. Es wird gefunden, daß das System keine linearen I-U-Charakteristiken aufweist und Schaltungsphänomene zeigt. Der spezifische Widerstand und das Schaltregime für die amorphe und polykristalline Phase hängen vom Se-Gehalt ab. Die Schwellen-spannung nimmt mit der Temperatur ab und zeigt komplexes Verhalten mit Erhohung der Se-Konzentration. Röntgenuntersuchungen von getemperten Proben zeigen Phasentrennung von Se, InSe oder In2Se3, die von der ursprünglichen Zusammensetzung abhängt. Das Schaltungsphanomen wird auf der Grundlage von thermisch induzierten Phasenübergängen diskutiert. Es wird angenommen, daß der Zustand mit niedrigem spezif ischen Widerstand auf der Bildung von Filamenten der Kristallphase beruht, welche als leitende Pfade zwischen den beiden Elektroden wirken.

Irradiation-induced photodarkening in evaporated As30Se60Cu10 films is studied. The transmission spectra are shifted towards longer wavelengths after irradiation. Increasing the irradiation flux seems to have negligible effect on the total decrease in the spectral transmission of these films. The change in transmission is found to increase with increasing chalcogenide film thickness. A quantitative description of the photodarkening effect is given. The calculations show that the photodarkening effect depends only on the value of the absorption coefficient regardless of its spectral distribution. The study of the photodarkening kinetics indicates that the latent darkening centres are directly proportional to the chalcogenide film thickness. The optical behaviour of the heat treated films after irradiation is also studied. The results are discussed on the basis of rearrangement of the constituent atoms which takes place within a short-range order of the network.

Translated Abstract:
Bestrahlungsinduzierte Photoverdunkelung wird an aufgedampften As30Se60Cu10-Schichten untersucht. Die Transmissionsspektren sind nach Bestrahlung zu längeren Wellenlängen verschoben. Eine Erhöhung des Bestrahlungsflusses scheint nur einen vernachlässigbaren Einfluß auf die Gesamtzunahme der spektralen Durchlässigkeit dieser Schichten zu besitzen. Es wird gefunden, daß die Änderung der Transmission mit zunehmender Chalkogenidschichtdicke zunimmt. Eine quantitative Beschreibung des Photoverdunkelungseffekts wird angegeben. Die Rechnungen zeigen, daß der Photoverdunkelungseffekt nur vom Wert des Absorptionskoeffizienten abhängt und ist unabhängig von seiner spektralen Verteilung. Die Untersuchung der Photoverdunkelungskinetik zeigt, daß die latenten Verdunkelungszentren direkt proportional zur Chalkogenidschichtdicke sind. Das optische Verhalten der wärmebehandelten Schichten nach Bestrahlung wird ebenfalls untersucht. Die Ergebnisse werden auf der Grundlage einer Umordnung der Konstituentenatome diskutiert, die innerhalb der Nahordnung des Netzwerks auftritt

The thermoelectric power of bulk specimens of the system Bi1 − xTex (0.3 x 0.6 at.) was studied. The effects of Te content, temperature and time of annealing were considered.

For most of the compositions considered, the activation of holes seemed predominant. The electron activations, as well as mixed activations, seemed dependent on Te content and the conditions of annealing. Compensation semiconductor behaviour could also be observed. However, both the value and polarity of the Seebeck coefficient seemed dependent on Te content, conditions of annealing and the temperature of measurement

Results of differential scanning calorimetry (DSC) at different heating rates on Se0.7Ge0.2Sb0.1 glass are reported and discussed. From the heating rate dependence of glass transition, crystallization onset and peak crystallization temperatures values for the glass transition activation energy, Et, and the crystallization activation energy, Ec, were evaluated. The results are consistent with surface and one-dimensional crystallization for this glass. The calculated values of Et and Ec are 92±6 and 134±6 kJ/mol, respectively.

This work was partly supported by a Grant-in-Aid for Scientific Research from the Deutsche Gesellschaft für Technische Zusammenarbeit (GTZ) and DAAD, Germany